多尺典吧>玄幻小说>我朋友的妈妈 > 第七章-求订阅!)
    谭云松笑了⚒起来:“没措施,国内在半导体产♶业上有着如此快速的提升,这就是一个奇迹呀!根本没措施用科学来解释。”

    “🛎这不是谭总最盼看看到的成🕳果么。”🃌杨杰笑着道。

    越日📓🚞🔡,杨杰也是涌现在了新蓝科技公司的研发中心,会议室里面坐满了公司研发部分的技巧工程师,中间还🞑📜有二十多名的美国的工程师。

    他指着投影屏幕上自制的ppt说道:“大家看啊,这个多晶硅栅下面是三层尽缘薄膜,这三层薄膜分辨是隧穿⚷🖄氧化层、氮化硅、屏障氧化层,其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度,可以捕捉电子,达到存储电荷的目标,带电就是1,不带电就是0。”

    杨杰持续说道:“氮化硅之前只是用在对底层金属实现笼罩,由于针孔很少,对水🍿汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢🎧,这次🃡🙓我们将氮化硅注进沟道边沿。”

    他看到众人都是🏁🗅露出了困惑的表情,笑着解释道:“我们都知道半导体中有两种载流子,一种是电子,一种是空穴,在对单元进行写进操作时🎾🖪🕚,采用热电子注进法,将热电子注进沟道边沿的氮化硅,这样就完成了写进过程,在作擦除时,利用价带间的空穴,将空穴注进沟道边🚥🕛🊘沿的氮化硅,打消电荷,就完成了擦除。

    “由于氮化硅的尽缘性,热电子效应产生的电子只能被注进并限制在沟道边沿。正是这样,两侧沟道一旦部带🂐🍾🍭电就是11,部不带电就是00,但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除,就会涌现四种情况,一种是01,一种是10,于是我们🖐👱就在不进行复杂工艺转变的条件下,让现有的闪存容量增长了一倍。”

    “在这个基础上,我们可以今🕳后发展出多电压♶把持栅极多层注进电荷技巧产品,实现多层的堆叠,可以用这种技巧在现有的制程工艺上最大限度地增长闪存的容量,而不是完整依附制程工艺的提升,这也大大地降低了闪存的本钱。”

    听到这里,会议室里一片哗然,众人都是无比惊喜,韩小龙此时激动地鼓掌,随后大家都是随着用力地鼓🀲🀲起掌来。

    “杨少你太神了!我们得赶紧实⚄🎸🕻验!赶紧写论文申请🗋🚇专利!”韩小龙激动地说道。

    “杨先生,你的假想太完善了!我感到可行!真的可行!这个门路📖🚸怎么以前就没人想到呢!你真是天才!”

    此时好几个美🚙国工程师都是激动地💊🐍站起🃌来嚷嚷。

    “杨少,我有个问题,这种技巧路线的确🔒让一个存储单位可以承载四个信息⚗👞🉾,比以前翻了一倍,可接下来怎么读取呢?”一个工程师举🊶起手问道。

    “这四种情况的电压是不同的呀⚄🎸🕻,我们只要设计出一🗋🚇套解码电路,用于读取并解析数据就行,具体的解码电路还需要你们往设定。”杨杰笑🚣🕊着道。

    “杨少,我们马上对解码电路进行设计,我差未几有了想法,我保证下一周把芯片设计拿出来,随后就能进行制程工艺流程的设计,最晚🕝🊩📂月底,我们就可以进行第一次工程流片!”

    韩小龙激动地说道。

    “很好,我等着你们的好消息。”杨杰看🔒到众人都跟🗋🚇打了鸡血一样,笑着点头道。

    现在他捅破了这层窗户纸,新蓝科技公司将成为世界上第一家采用3d闪存技巧的设计企业!也可以说是🀲🀲彻底地摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚,抵消了需缴纳给国际闪存技巧同盟的专利费!

    只要芯片流片成功,拿到专利申请,国外的这些闪🖱存大厂反过来还要向公司缴纳专利费!

    看到一脸笑脸的杨杰站在那里,韩小龙等人心♶中都是无比感叹:杨少真是一位神人呀!

    杨杰也是筹备留在这里亲身参与接下来的芯片设计研发,🋮🜬🅏但是第二天一个电话却是让他不得不赶到了电化学实验室——

    朱总理来电化学实验室视察了!

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